引领特高压碳化硅平台创新
重塑功率半导体量产与测试极限

提供成熟的平面与沟槽型特高压功率器件整套工艺方案，实现光罩层数精简与良率突破。

• 精简光罩层数：优化离子注入与热工艺流程，缩短研发周期 50% 以上。
• 深结注入与位错缓冲：专有离子注入深度控制与缺陷阻断工序，消除基面缺陷扩展。
• 界面态与氧化层加固：高温栅氧生长与热处理工艺，抑制电荷陷阱与阈值电压漂移。
• PDK 与器件仿真库：交付完整且高精度的 SPICE / TCAD 器件物理模型与可靠性库。

专为突破晶圆级 6500V 物理极限打造的测试系统，集成微环境消弧与高频动态参数表征。

• 极限高压测量：标配 6.7kV / 7kV 静态测试，可选配扩展至 10kV / 12kV 击穿特性提取。
• 微环境抑弧技术：专有气浮密封与微压腔体设计，彻底杜绝晶圆级测试高压电弧击穿。
• 多工位异步架构：支持单机最多 4 工位并行异步测试，大功率测试高达 1kA 瞬态。
• KGD 晶圆级全检：在封装前 100% 拦截早期失效芯片，降低封测沉没成本 30% 以上。

针对特高压极端场强研发的改性防护方案，消除漏电通道。

• 高介电强度配方：专有改性工序，耐受 >6.5kV 超强电场梯度。
• 梯度介质绝缘栈：有效阻挡水汽侵入与移动离子漂移。
• 消除 Partial Discharge：杜绝长期反偏下击穿失效。
• 应力缓冲与热匹配：优异的机械附着力与热膨胀系数匹配，保障极端工作温区稳定性。

打通由器件仿真、工程流片、批次质量控制到失效物理分析的全方位量产支撑。

• 失效机理精准定位：提供微光热点 (EMMI)、光热诱导阻抗 (OBIRCH) 等微观定位方案。
• 材料微观缺陷解析：建立 TEM/FIB 界面剖析、SIMS 掺杂深度统计与良率波动模型。
• 长期耐久可靠性标准：满足严苛的 HTGB / HTRB / 高低温冲击与功率循环验证。
• 微粒与场强畸变控制：建立颗粒尺寸与局部电场集中的量化模型，提升芯片 TDDB 寿命。